Несостоявшаяся информационная революция. Условия и тенденции развития в СССР электронной промышленности и средств массовой коммуникации. Часть I. 1940–1960-е годы - стр. 58
Основным катализатором развития отечественной полупроводниковой электроники были военные программы. Так, по словам профессора Ю. Р. Носова, «полупроводниковая инфракрасная техника все эффективнее демонстрировала нашим военным «чудодейственные возможности», необходимые для создания тепловых головок самонаведения зенитных ракет и приборов ночного видения». Этот же автор утверждает: «Подобно тому, как «битву за Британию» (1940) выиграли радары, окончание Вьетнамской войны и Парижский мир (1973) обеспечили тепловизоры: к ним не сумели подобрать противодействие, аналогично тому, как это было сделано в отношении радаров, и американские ВВС начали нести слишком значительные потери».[71]
Важным аспектом истории становления отечественной полупроводниковой электроники является состояние металлургической базы производства германия и кремния. К сожалению, на эту тему вообще нет никаких опубликованных данных. Отрывочные сведения содержатся в аналитических обзорах ГКНТ СССР. Например, в обзоре «Основные направления технического прогресса народного хозяйства РСФСР на период до 1980 г. Цветная металлургия» от 18 мая 1961 г. сообщается:
«…Из-за отсутствия развития производства редких металлов тормозится внедрение новой техники в ряде важнейших отраслей народного хозяйства (выпуск жаропрочных и легких сплавов, полупроводниковых приборов и других изделий особого назначения)».[72]
Очень плохо обстоит дело с источниками по истории становления отечественной микроэлектроники. Между тем, для историографии данная тема является наиважнейшей. Пожалуй, ни одна из отраслей науки, техники и производства, кроме атомной промышленности, не предъявляла Советскому Союзу столь же экономически затратных и жестких технических требований по ее созданию и развитию, как микроэлектроника. На ней же (микроэлектронике) Советский Союз, надо понимать, и запнулся, не найдя необходимых средств и ресурсов для поддержания невероятно высоких темпов научно-технического прогресса и соответствующих капиталовложений.
Все основные директивные документы ЦК КПСС и Совмина СССР по созданию научной и производственной базы микроэлектроники имеют гриф ограничения допуска. Чаще всего в «ветеранской историографии» упоминается постановление № 831–353 сс от 08.08.1962 г. «Об организации Центра микроэлектроники – «Научного центра» (НЦ) и комплекса НИИ и КБ в союзных республиках».
Проект вышеупомянутого документа, по данным Б. М. Малашевича, «был результатом напряженной работы команды единомышленников из аппарата ГКЭТ, ВПК, ЦК КПСС, СМ СССР, специалистов НИИ-35, КБ-2 и других предприятий ГКЭТ».