Несостоявшаяся информационная революция. Условия и тенденции развития в СССР электронной промышленности и средств массовой коммуникации. Часть I. 1940–1960-е годы - стр. 26

Вначале ИС использовались в электронных калькуляторах, затем их стали встраивать в другие устройства, например терминалы, принтеры и различную автоматику. Интегральные схемы – элементная база третьего поколения ЭВМ, повысившая их быстродействие и объем оперативной памяти. Потребности гражданской и военной промышленности год от года росли, и в результате в 1969 г. в США было произведено 350 млн. ИС, то есть за 7 лет их производство выросло в 700 раз!

Еще никогда в истории ни одна отрасль промышленности не росла столь стремительными темпами, причем, не в ущерб стоимости и качеству продукции. Уменьшение топологических размеров элементов микросхем приводит к удельному уменьшению цены одного транзистора в разы. За счет увеличения количества транзисторов в одной микросхеме, соответственно, увеличивается количество функций, которые она может выполнять, и уменьшается удельная цена каждой отдельной функции. Один из основателей Intel Гордон Мур как-то остроумно заметил, что «если бы автомобилестроение развивалось со скоростью эволюции полупроводниковой промышленности, то сегодня Ролс Ройс мог бы проехать полмиллиона миль на одном галлоне бензина, и дешевле было бы его выбросить, чем заплатить за парковку».

По конструктивно-технологическому исполнению все ИС подразделяются на следующие типы:

• Пленочные микросхемы – все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде пленок:

– толстоплёночная интегральная схема (нанесение слоев паст толщиной от 1 до 25 мкм);

– тонкоплёночная интегральная схема (вакуумное напыление плёнок толщиной до 1 мкм).

• Полупроводниковые микросхемы – все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния или германия).

• Гибридные микросхемы – кроме полупроводникового кристалла содержат несколько бескорпусных диодов, транзисторов и (или) других электронных компонентов, помещенных в один корпус.

Микросхема, исполненная на пленке, напоминает слоеный пирог. На основание схемы – германиевую или кремниевую пластину толщиной не более 0,5 мм – наносят, слой за слоем, различные материалы: алюминий играет роль проводника, нихром – сопротивления, окись кремния – диэлектрика. При этом каждый слой получает рисунок от фотошаблона, созданного на этапе схемотехнического проектирования. В результате образуются компоненты ИС – участки, эквивалентные по своим свойствам транзисторам, конденсаторам и резисторам.

При изготовлении полупроводниковых ИС (англ. system-on-chip) требуется неоднократное проведение фотолитографического процесса с воспроизведением на исходном чипе совмещающихся между собой различных рисунков (фотошаблонов). Элементы будущей ИС создаются посредством легирования, то есть внедрения (загонки) в пластину различных примесей и их распределения (разгонки) по требуемому объему. Основным методом легирования является диффузия парами гидрида фосфора, мышьяка и бора при температуре 1100–1200 градусов Цельсия.