Большой космический обман США. Часть 5. Полеты в далекий космос и марсианский обман США - стр. 10

О влиянии радиации, в данном случае радиации Радиационных Поясов Юпитера на электронное оборудование: « Действие радиации на конструкционные материалы изделий электронной техники. В настоящее время установлено [26—36], что фундаментальные параметры реальных кристаллов (электро- и теплопроводностьмеханические, оптические и магнитные свойства, коэффициенты диффузии и др.) связаны с точечными дефектами. Следовательно, эти дефекты (и их вторичные образования) будут определять комплекс электрических параметров тех элементов электронной техники, основой которых является кристаллическая структура. В результате воздействия ядерных излучений во всех твердых телах независимо от типа структуры могут происходить смещения атомов с образованием вакантных узлов и внедренных атомов. По мере накопления этих дефектов, когда их количество становится сравнимым с исходным количеством, присущим этому материалу или изделию, электрофизические свойства начинают существенно меняться».

Действие радиации на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. В настоящее время имеется значительное количество работ, посвященных исследованию механизмов деградации биполярных транзисторов при воздействии проникающего излучения. Часть из них широко обобщена, например, в монографиях В. С. Вавилова, Н. А. Ухина и Ф. Ларина: «Экспериментально доказано, что при облучении большинство параметров биполярных транзисторов изменяется. Однако среди них можно выделить основной – статический коэффициент передачи тока, уменьшение которого при облучении ограничивает радиационную стойкость многих классов схем на транзисторах.

В общем случае изменение этого параметра обусловлено изменением как объемных, так и. поверхностных свойств полупроводников. Как показано выше, излучения, теряющие основную часть своей энергии в процессе упругого рассеяния, создают, главным образом, радиационные дефекты в объеме полупроводника, что приводит к изменению времени жизни, концентрации и подвижности носителей заряда. Излучения, которые при прохождении через вещество теряют свою энергию за счет неупругого рассеяния, ионизируют газ в корпусе прибора, генерируют и возбуждают свободные носители заряда, что может привести к изменению поверхностных свойств полупроводников вследствие захвата генерируемых носителей поверхностными уровнями или осаждения заряженных ионов, на поверхность кристалла». [13] Действие радиации на пьезокварцевые материалы и изделия в условиях РПЮ тоже должны были привести к катастрофическим последствиям: «Пьезокварцевые изделия являются наиболее ответственными функциональными элементами радиоэлектронной аппаратуры. Благодаря удачному сочетанию механических, электрических и оптических свойств кристаллический кварц занял исключительное положение в науке и технике (кварцевые высокостабильные генераторы, электрические фильтры, ультразвуковые устройства). Кварц является соединением атомов кремния с атомами кислорода. Хотя окись кремния – широко распространенное на земле соединение, однако прозрачные кристаллы кварца, пригодные для использования в электронной промышленности, встречаются довольно редко». [14] Нет сведений о том, как решили эти проблемы!